يعتبر MOSFET الأصلي من جيكينج 100V 180A 4.5mOhm IRFB4110 ترانزستور تأثير مجال أكسيد المعدن عالي القدرة مصمم لأداء متفوق في تطبيقات إلكترونيات الطاقة. يتميز هذا الجهاز من نوع N-channel بتصنيف جهد أقصى يبلغ 100V وقدرة على التعامل مع تيار يصل إلى 180A، مما يجعله خيارًا مثاليًا لأنظمة إدارة الطاقة ودفع المحركات التي تتطلب أداءً عاليًا. تضمن المقاومة المنخفضة البالغة 4.5mOhm الحد الأدنى من فقدان الطاقة أثناء التشغيل.
الميزات الرئيسية:
| نمط التركيب: | ثقب مرور |
| الحزمة / الحالة: | TO-220-3 |
| Vds - فولتاج انقطاع مصدر الصرف: | 100 فولت |
| Id - تيار التفريغ المستمر: | 180 أ |
| Rds على - مقاومة مصدر الصرف: | 3.7 مالم |
NCE80TD65BT ترانزستور IGBT من نوع TO-247 DIP بجهد 650V وتيار 80A
جيكينج ICs صوتية أصلية Multiwatt-15 TDA7294 TDA7294V
ATPL360-EK، مجموعة تقييم PL360B لتصميم المرجع الخاص بالاتصال عبر خطوط الطاقة (PLC) باستخدام الجزء ATSAM4CMS16C من Microchip Technology
Tda8954th مجموعة الدوائر المتكاملة - أجهزة كمبيوتر أخرى متخصصة للتطبيقات المخصصة
AN56778، PowerPSoC - شاحن شمسي MPPT مع دriver LED مدمج باستخدام CY8CLED04D01-56LTXI من Infineon Technologies AG
ترانزستور esp32-wroom-32e-n4 rf - أشباه الموصلات عالية التردد لأجهزة الاتصالات اللاسلكية
فريقنا الودود يحب أن يسمع منك! أو يمكنك إرسال بريد إلكتروني لنا على [email protected]!