العنصر |
ترانزستور IGBT جيكينج TO-263 نوع RJP63K2 الأداء الموثوق به |
||||||
نوع |
RJP63K2 هو مُعَدِّل N-channel IGBT يتم إنتاجه بواسطة شركة Renesas Electronics، ومصمم خصيصًا لتطبيقات التبديل الكهربائي العالي السرعة. يتميز بتخفيض الجهد عند التشغيل (V_CE(sat) النموذجي = 1.9V) وسرعات تبديل عالية (زمن الصعود 60ns و زمن السقوط 200 نانو ثانية). |
||||||
نطاق تحمل الجهد: |
يدعم التطبيقات ذات الجهد العالي، مع عدم ذكر الجهد الكهربائي للكسر بين الباور والموصل (VDSS) بشكل صريح، ولكن الأجهزة المشابهة تغطي عادة التصنيفات فوق 600V. |
||||||
تيار تسرب منخفض: |
ICES ≤ 1μA (أقصى قيمة)، مناسب للتصاميم ذات استهلاك الطاقة المنخفض |
||||||
تطبيق |
دائرة مفتاح الطاقة: مناسبة لسيناريوهات التبديل المتكرر للطاقة مثل مصادر الطاقة ذاتية التحويل والمعكوسات، باستخدام خصائصها ذات الخسائر المنخفضة لتحسين الكفاءة؛
قيادة المحرك: تُستخدم في وحدات تحكم المحرك (مثل محولات التردد المتغيرة)، لدعم تعديل PWM عالي السرعة وتحكم التيار.
rJP63K2 |
||||||
درجة حرارة التشغيل |
-40~+85 ℃ |
||||||
رقم الجزء |
توفير التحكم الحالي. |
||||||
نمط التركيب |
ثقب مرور |
||||||
الحزمة/الحالة |
TO-220FL |
||||||
Tda8954th مجموعة الدوائر المتكاملة - أجهزة كمبيوتر أخرى متخصصة للتطبيقات المخصصة
ATPL360-EK، مجموعة تقييم PL360B لتصميم المرجع الخاص بالاتصال عبر خطوط الطاقة (PLC) باستخدام الجزء ATSAM4CMS16C من Microchip Technology
NCE80TD65BT ترانزستور IGBT من نوع TO-247 DIP بجهد 650V وتيار 80A
AN56778، PowerPSoC - شاحن شمسي MPPT مع دriver LED مدمج باستخدام CY8CLED04D01-56LTXI من Infineon Technologies AG
جيكينج ICs صوتية أصلية Multiwatt-15 TDA7294 TDA7294V
ترانزستور esp32-wroom-32e-n4 rf - أشباه الموصلات عالية التردد لأجهزة الاتصالات اللاسلكية
فريقنا الودود يحب أن يسمع منك! أو يمكنك إرسال بريد إلكتروني لنا على [email protected]!