العنصر |
جيكينغ IGBTs TO-252-3 STGD18N40LZT4 |
||||||
وصف: |
IGBTs EAS 180 ميجا-400 فولت مقيدة IGBT |
||||||
Pd - فقدان الطاقة: |
150 واط |
||||||
الجهد الكليّ - الجهد الإصداري VCEO Max: |
420 فولت |
||||||
تيار المجمّع المستمر عند 25 درجة مئوية: |
10 أ |
||||||
تطبيق |
متنوعة |
||||||
درجة حرارة التشغيل |
-55~+175 درجة مئوية |
||||||
رقم الجزء |
STGD18N40LZT4 |
||||||
نمط التركيب |
SMD/SMT |
||||||
الحزمة/الحالة |
DPAK-3 (TO-252-3) |
||||||
التغليف |
릴 / شريط مقاطع / MouseReel |
||||||
ATPL360-EK، مجموعة تقييم PL360B لتصميم المرجع الخاص بالاتصال عبر خطوط الطاقة (PLC) باستخدام الجزء ATSAM4CMS16C من Microchip Technology
جيكينج ICs صوتية أصلية Multiwatt-15 TDA7294 TDA7294V
ترانزستور esp32-wroom-32e-n4 rf - أشباه الموصلات عالية التردد لأجهزة الاتصالات اللاسلكية
AN56778، PowerPSoC - شاحن شمسي MPPT مع دriver LED مدمج باستخدام CY8CLED04D01-56LTXI من Infineon Technologies AG
Tda8954th مجموعة الدوائر المتكاملة - أجهزة كمبيوتر أخرى متخصصة للتطبيقات المخصصة
NCE80TD65BT ترانزستور IGBT من نوع TO-247 DIP بجهد 650V وتيار 80A
فريقنا الودود يحب أن يسمع منك! أو يمكنك إرسال بريد إلكتروني لنا على [email protected]!