FGH60N60SFD ist ein IGBT für den Automobilbereich transistoren hergestellt von onsemi. Der Chip zeichnet sich durch hohe Stabilität und Stoßfestigkeit aus. Er kann kontinuierlich den maximalen Drain-Source-Strom des FGH60N60SFD von 60 A sowie die Drain-Source-Durchbruchsspannung von 600 V sicherstellen. Er eignet sich für Solarenergie-Wechselrichter und bietet optimale Leistung für Generatoren, USV-Anlagen, Schweißgeräte und Leistungsfaktorkorrektur (PFC). anwendungen .
| Modell | Fgh60n60sfd |
| Marke | Auf/auf Halbleiter |
| Verpackung | Bis 247 |
| Maximaler Abfluss der Abflussquelle | 60A |
| Abflussspannung | 600V |
| RDS (on) max | mΩ |
Anzahl der Pins |
3 |
| Eigenschaften | IGBT-Diode |
Leckstrom |
uA |
| Betriebstemperatur | -55℃~175℃ |
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