Transistoren mit einem Leistungsumfang von 600 V bis 247 V

Der Jeking NCE60TD60BT Transistors IGBT TO-247 DIP 600V 80A ist ein Hochleistungs-isolierter Gate-Bipolartransistor (IGBT), der für robuste Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieses IGBT bietet eine Spannung von 600 V und eine Leistung von 80 A, was es für Leistungselektronik und Motorsteuerungssysteme geeignet macht. Das TO-247-Paket bietet einen langlebigen und thermisch effizienten Formfaktor, der eine optimale Wärmeableitung während des Betriebs gewährleistet.

Hauptmerkmale:

• Isolierter Gate-Bipolartransistor (IGBT) für effizientes Schalten und lineare Verstärkung
• Hohe Spannungsbewertung von 600V für zuverlässigen Betrieb in Stromkreisen
• Stromtragfähigkeit von 80A für robuste Leistung
• TO-247-Gehäuse für überlegene Wärmeableitung
• Geeignet für Leistungselektronik, Motorantriebe und andere Hochstromanwendungen
• Robuste Konstruktion für längere Lebensdauer und Zuverlässigkeit