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Für Jeking RJP63K2 IGBT-Transistor in TO-263 von einer Agentur geliefert, zuverlässige Leistung

Beschreibung

Jeking IGBT-Transistor TO-263 RJP63K2 Typ Zuverlässige Leistung
Artikel
Jeking IGBT-Transistor TO-263 RJP63K2 Typ Zuverlässige Leistung
Typ
Der RJP63K2 ist ein N-Kanal-IGBT von Renesas Electronics, der speziell für schnelle Leistungsschaltungen konzipiert wurde anwendungsbereiche . Er zeichnet sich durch eine niedrige Spannungsabsenkung im leitenden Zustand (typischer V_CE(sat) = 1,9 V) und eine hohe Schaltgeschwindigkeit (Anstiegszeit von 60 ns) aus
fallzeit von 200ns).
Isolationsspannungsbereich:
Unterstützt Hochspannungsanwendungen, wobei die Drain-Source-Breakdown-Spannung (VDSS) nicht explizit
angegeben ist, aber ähnliche Geräte typischerweise Bewertungen über 600V abdecken.
Geringer Leckstrom:
ICES ≤ 1μA (maximal), geeignet für Niedrigleistungsdesigns
Anwendung
Schaltkreis für Stromversorgung: Geeignet für hochfrequente Schaltvorgänge in Switch-Mode-Power-Supplies und Wechselrichtern, wobei seine Niederverlust-Eigenschaften zur Effizienzsteigerung genutzt werden;
Motorantrieb: Verwendet in Motorsteuermodulen (wie z. B. variablen
frequenzumrichtern), unterstützt hohe PWM-Modulationsgeschwindigkeiten und Stromregelung.
Betriebstemperatur
-40~+85 ℃
Teilenummer
RJP63K2
Anbauart
durch Loch
Verpackung/Kiste
TO-220FL
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