Mosfet
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Artikel |
Hochwertiger G40N60 MOSFET N-Kanal 600V 40A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD |
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Typ |
SIHG40N60UFD ist ein IGBT transistoren mit hohen Spannungs- und Stromwerten. |
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Funktion
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Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit 600 V, maximaler Kollektorstrom 40 A, Leistungsverlust bis zu 100 W |
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Integrierte schnelle Freilaufdiode, unterstützt Schalten mit hoher Frequenz anwendungen
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Einschaltzeit: 67 Nanosekunden, Ausschaltzeit: 190 Nanosekunden, geeignet für Leistungsregelungsszenarien |
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Anwendung |
Wird hauptsächlich in Wechselrichtern, Schweißgeräten, Motorantrieben und anderen Industrieanlagen eingesetzt und unterstützt Hochfrequenz-Schalten sowie Leistungsabgabe mit hoher Leistung. |
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Betriebstemperatur |
-50~+150 ℃ |
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Teilenummer |
SIHG40N60UFD |
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Anbauart |
durch Loch |
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Verpackung/Kiste |
Bis 247 |
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