Transistorproduktkategorie mit hoher Qualität G40N60 MOSFET N-Kanal 600V 40A TO247AC

Hochwertiger G40N60 MOSFET N-Kanal 600V 40A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD

Artikel	Hochwertiger G40N60 MOSFET N-Kanal 600V 40A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD
TYP	SIHG40N60UFD ist ein IGBT-Transistor mit hohen Spannungs- und Stromwerten.
Funktion	Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit 600 V, maximaler Kollektorstrom 40 A, Leistungsverlust bis zu 100 W
	Integrierte Fast-Recovery-Diode, unterstützt Anwendungen mit hochfrequentem Schalten
	Einschaltzeit: 67 Nanosekunden, Ausschaltzeit: 190 Nanosekunden, geeignet für Leistungsregelungsszenarien
Anwendung	Wird hauptsächlich in Wechselrichtern, Schweißgeräten, Motorantrieben und anderen Industrieanlagen eingesetzt und unterstützt Hochfrequenz-Schalten sowie Leistungsabgabe mit hoher Leistung.
Betriebstemperatur	-50~+150 ℃
Teilenummer	SIHG40N60UFD
Anbauart	durch Loch
Verpackung/Kiste	Bis 247

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