Mit einem Gehalt an Strom von mehr als 10 W

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Hochwertiger RJP63K2 Flüssigkristall-Plasma-Feld-Effekttransistor TO-220 von Agency Supplier

Beschreibung

Hochwertiger Flüssigkristall-Plasma-Feldeffekttransistor TO-220 RJP63K2
Artikel
Hochwertiger Flüssigkristall-Plasma-Feldeffekttransistor TO-220 RJP63K2
TYP
Der RJP63K2 ist ein N-Kanal-IGBT von Renesas Electronics, speziell für Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Er zeichnet sich durch eine geringe Einschaltspannungsabfall (typische V_CE(sat) = 1,9V) und hohe Schaltrate (Anstiegszeit von 60ns) aus.
fallzeit von 200ns).
Isolationsspannungsbereich:
Unterstützt Hochspannungsanwendungen, wobei die Drain-Source-Breakdown-Spannung (VDSS) nicht ausdrücklich angegeben ist, aber ähnliche Geräte typischerweise Bewertungen über 600V abdecken.
Geringer Leckstrom:
ICES ≤ 1μA (maximal), geeignet für Niedrigleistungsdesigns
Anwendung
Schaltkreis für Stromversorgung: Geeignet für hochfrequente Schaltvorgänge in Switch-Mode-Power-Supplies und Wechselrichtern, wobei seine Niederverlust-Eigenschaften zur Effizienzsteigerung genutzt werden;
Motorantrieb: Verwendet in Motorsteuermodulen (wie z. B. variablen
frequenzumrichtern), unterstützt hohe PWM-Modulationsgeschwindigkeiten und Stromregelung.
Betriebstemperatur
-40~+85 ℃
Teilenummer
RJP63K2
Anbauart
durch Loch
Verpackung/Kiste
TO-220FL
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