Mit einem Gehalt an Strom von mehr als 10 W
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Artikel |
Hochwertiger Flüssigkristall-Plasma-Feldeffekttransistor TO-220 RJP63K2 |
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TYP |
Der RJP63K2 ist ein N-Kanal-IGBT von Renesas Electronics, speziell für Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltanwendungen entwickelt. Er zeichnet sich durch eine geringe Einschaltspannungsabfall (typische V_CE(sat) = 1,9V) und hohe Schaltrate (Anstiegszeit von 60ns) aus. fallzeit von 200ns). |
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Isolationsspannungsbereich: |
Unterstützt Hochspannungsanwendungen, wobei die Drain-Source-Breakdown-Spannung (VDSS) nicht ausdrücklich angegeben ist, aber ähnliche Geräte typischerweise Bewertungen über 600V abdecken. |
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Geringer Leckstrom: |
ICES ≤ 1μA (maximal), geeignet für Niedrigleistungsdesigns |
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Anwendung |
Schaltkreis für Stromversorgung: Geeignet für hochfrequente Schaltvorgänge in Switch-Mode-Power-Supplies und Wechselrichtern, wobei seine Niederverlust-Eigenschaften zur Effizienzsteigerung genutzt werden;
Motorantrieb: Verwendet in Motorsteuermodulen (wie z. B. variablen
frequenzumrichtern), unterstützt hohe PWM-Modulationsgeschwindigkeiten und Stromregelung. |
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Betriebstemperatur |
-40~+85 ℃ |
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Teilenummer |
RJP63K2 |
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Anbauart |
durch Loch |
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Verpackung/Kiste |
TO-220FL |
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