Beschreibung: |
Jeking Trench Gate FieldStop IGBT-Transistor 650 V 80 A STGW80H65DFB |
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Pd - Energieverlust: |
469 W |
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Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic: |
80 A |
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Stetiger Kollektorstrom bei 25 °C: |
120 a |
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Sammler-Emitter Spannung VCEO Max: |
650 V |
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Betriebstemperatur: |
-55 °C bis +175 °C |
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Montageschema: |
Durch Loch |
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Gehäuse / Verpackung: |
Die Kommission wird die folgenden Informationen erfassen: |
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Verpackung: |
Rohr |
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