Mosfet
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| IC | IGBT | Eingebettetes Modul | Klicken Sie für mehr | ||
| FDP2532 | |
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| MOSFET N-Kanal 150V 79A TO-220AB | |
| FET-Typ | N-Kanal |
| TECHNOLOGIE | MOSFET (Metalloxid) |
| Ausläuferspannung zur Quelle (Vdss) | 150 V |
| Strom - Dauerentwässerung (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 79A (Tc) |
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) |
6V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id |
4V @ 250uA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5870pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Verlustleistung (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 33A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis 175 °C (tj) |
| Montagetyp | Durch Loch |
| Lieferanten-Gerätpaket | TO-220-3 |
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ZahlungspunkteArtikel: Kreditkarten-Kanäle: Bitte senden Sie uns die Überweisungsrechnung nach der Zahlung |
VersandartikelExpress: Luftpost: Normale Post: |
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| QUALITÄTSGARANTIE |
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