Artikel |
Jeking Kunststoff-IGBT Mosfet IRG7IC28U Hergestellt in China |
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TYP |
Jeking 1200 V / 35 A IGBT-Halbbrückenmodul Integrierte invers-parallele Diode IRG7IC28U |
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Spannungs-/Strom-Bemessung: |
1200 V Kollektor-Emitter-Spannung (VCES), 35 A Dauerstrom |
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Leitungsverlust: |
Sättigungsspannungsabfall (VCE(sat)) beträgt nur 1,85 V |
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Integrierte Diode: |
Rückwärts-Erholzeit (trr) beträgt nur 110 ns, wodurch die Freilaufverluste reduziert werden |
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Anwendung |
verschiedene |
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Betriebstemperatur |
-40~+85 ℃ |
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Teilenummer |
IRG7IC28U |
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Anbauart |
- |
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Verpackung/Kiste |
- |
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