FGH60N60SFD es un IGBT de grado automotriz transistor fabricado por onsemi. El chip presenta buena estabilidad y resistencia al impacto. Puede garantizar de forma continua la corriente máxima de drenaje-fuente del FGH60N60SFD de 60 A y la tensión de ruptura drenaje-fuente de 600 V. Se puede utilizar en inversores solares. Proporciona un rendimiento óptimo para generadores, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), soldadores y corrección del factor de potencia (PFC) aplicaciones .
| Modelo | Fgh60n60sfd |
| Marca | En/en semiconductor |
| Empaque | Hasta el 247 |
| Corriente máxima de la fuente de drenaje | las demás |
| Tensión de ruptura de la fuente de drenaje | 600V |
| Rds ((on) max | mΩ |
Número de pines |
3 |
| Características | Diodo IGBT |
Corriente de fuga |
uA |
| Temperatura de trabajo | -55℃~175℃ |
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