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Irfb4110pbf mosfets mosft 100v 180a 4.5mohm hasta 220-3

Descripción

Los MOSFET Jeking IRFB4110PBF, MOSFT de 100 V, 180 A y 4,5 mΩ en encapsulado TO-220-3, son transistores de efecto de campo de óxido metálico de alta potencia transistor (MOSFET) diseñados para un rendimiento superior en electrónica de potencia aplicaciones . Este dispositivo de canal N cuenta con una tensión máxima de 100 V y una capacidad de manejo de corriente de 180 A, lo que lo convierte en una opción ideal para sistemas exigentes de gestión de potencia y accionamiento de motores. La baja resistencia de 4,5 mΩ garantiza unas pérdidas de potencia mínimas durante su funcionamiento.

Características principales:

  • MOSFET de canal N para conmutación eficiente y amplificación lineal
  • Alta tensión nominal de 100 V para un funcionamiento robusto en circuitos de energía
  • Capacidad de manejo de corriente de 180A para prestaciones excepcionales
  • Baja resistencia de 4,5 mOhm para una pérdida de potencia mínima
  • Adecuado para electrónica de potencia, controladores de motor y otras aplicaciones de alta corriente
  • Construcción robusta para una vida útil prolongada y confiabilidad
Paquete / Estuche: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-canal
Número de canales: 1 Canal
Vds - Voltado de ruptura de la fuente de drenaje: las demás
Id - Corriente de drenaje continua: 180 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: 3,7 mOhms
Vgs - Voltado de la fuente de la puerta: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Voltado de umbral de la fuente de la puerta: las demás
Qg - Carga de la puerta: 150 años después de Cristo
Pd - Disipación de Potencia: de una potencia de 37 W

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