Transistor MOSFET de Alta Calidad, Canal N, 1000V, 6,1A, TO-247AC IRFPG50

Descripción

Transistor MOSFET de Alta Calidad, Canal N, 1000V, 6,1A, TO-247AC IRFPG50
Artículo
Transistor MOSFET de Alta Calidad, Canal N, 1000V, 6,1A, TO-247AC IRFPG50
tipo
Transistor MOSFET N-Canal Jeking TO247, 1 kV, 6,1 A transistor IRFPG50 IRFPG50PBF
Pd - Disipación de Potencia:
190 W
Vds - Voltado de ruptura de la fuente de drenaje:
1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:
6,1 A
Aplicación
varios
Temperatura de trabajo
-55~+150 ℃
Número de pieza
IRFPG50PBF
Estilo de montaje
A través del agujero
Envase/caja
TO-247-3
Embalaje:
Tubo
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