Artículo |
Transistor MOS de alta calidad MOSFET canal N 100 V 5 A CPT3 RSD050N10TL |
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Descripción: |
Transistor MOSFET Jeking ALT. RECOMENDADO RSD050N10TL |
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Pd - Disipación de Potencia: |
15 W |
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Vds - Voltado de ruptura de la fuente de drenaje: |
las demás |
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Id - Corriente de drenaje continua: |
5 A |
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Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: |
145 mOhmios |
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Qg - Carga de la puerta: |
14 nC |
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Temperatura de trabajo |
-55~+150 ℃ |
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Número de pieza |
RSD050N10TL |
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Estilo de montaje |
El número de unidades de producción |
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Envase/caja |
Hasta el 252-3 |
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Embalaje: |
Bobina / Cinta Cortada / MouseReel |
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Transistor MOSFET Jeking D2PAK-3 TO-263-3 RSJ250P10FRATL
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