Transistor MOSFET de alta calidad, canal N, 60 V, 48 A, TO-220AB NDP6060

Descripción

Transistor MOSFET de alta calidad, canal N, 60 V, 48 A, TO-220AB NDP6060
Artículo
Transistor MOSFET de alta calidad, canal N, 60 V, 48 A, TO-220AB NDP6060
tipo
Transistor Jeking MOSFET de canal N, FET de modo de enriquecimiento NDP6060
Pd - Disipación de Potencia:
100 W
Vds - Voltado de ruptura de la fuente de drenaje:
60 V
Id - Corriente de drenaje continua:
48 A
Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje:
25 mOhms
Aplicación
varias
Temperatura de trabajo
-65 °C ~ +175 °C
Número de pieza
NDP6060
Estilo de montaje
A través del agujero
Envase/caja
TO-220-3
Embalaje:
TUBO
Detalles de Productos
Recomendar Productos
Perfil de la empresa
Por qué elegirnos
Preguntas frecuentes

Productos recomendados

Obtenga un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Correo electrónico
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000
Adjunto
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt
inquiry
Contáctenos

¡Nuestro equipo amable se alegrará de escuchar de usted! o envíenos un correo electrónico a [email protected]!

Correo Electrónico *
Nombre*
Número de Teléfono*
Nombre de la empresa*
Fax
País
Mensaje *

Obtenga un presupuesto gratuito

Nuestro representante se pondrá en contacto con usted pronto.
Correo electrónico
Nombre
Nombre de la empresa
Mensaje
0/1000
Adjunto
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt、stp、step、igs、x_t、dxf、prt、sldprt、sat、rar、zip