Artículo |
Transistor MOSFET de alta calidad, canal N, 60 V, 48 A, TO-220AB NDP6060 |
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tipo |
Jeking MOSFET transistor Modo de mejora del transistor de efecto de campo N-Channel NDP6060 |
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Pd - Disipación de Potencia: |
100 W |
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Vds - Voltado de ruptura de la fuente de drenaje: |
60 V |
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Id - Corriente de drenaje continua: |
48 A |
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Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: |
25 mOhms |
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Aplicación |
varios |
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Temperatura de trabajo |
-65 °C ~ +175 °C |
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Número de pieza |
NDP6060 |
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Estilo de montaje |
A través del agujero |
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Envase/caja |
TO-220-3 |
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Embalaje: |
Tubo |
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