Transistor MOSFET de alta calidad, canal N, 800 V, 8 A, TO-220FM R8008ANX

Descripción

Transistor MOSFET de alta calidad, canal N, 800 V, 8 A, TO-220FM R8008ANX
Artículo
Transistor MOSFET de alta calidad, canal N, 800 V, 8 A, TO-220FM R8008ANX
tipo
Transistor Jeking 10V Drive Nch MOSFET R8008ANX
Vds - Voltado de ruptura de la fuente de drenaje:
800 V
Id - Corriente de drenaje continua:
8 A
Pd - Disipación de Potencia:
66 W
Aplicación
varias
Temperatura de trabajo
-55~+150 ℃
Número de pieza
R8008ANX
Estilo de montaje
A través del agujero
Envase/caja
TO-220FM-3
Embalaje:
A granel
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