Transistor IGBT

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Transistor IGBT FGAN60N65SMD más vendido con precio asequible

Descripción

Transistor FGA60N65SMD FGA60N65 en venta popular con bajo precio
Artículo
Transistor FGA60N65SMD FGA60N65 en venta popular con bajo precio
Descripción
Transistores IGBT de 650 V, 60 A, IGBT con parada de campo
Pd - Disipación de Potencia
600 W
Voltaje Colector-Emisor VCEO Máx
650 V
Tensión de saturación colector-emisor
1,9 V
Corriente continua del colector a 25 °C
120 a)
Aplicación
varias
Temperatura de trabajo
-55 °C ~ +175 °C
Número de pieza
FGA60N65SMD
Estilo de montaje
A través del agujero
Envase/caja
TO-3PN
Envase
TUBO
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