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| CI | El IGBT | Módulo Empotrado | Haz clic para ver más | ||
| FDP2532 | |
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| MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB | |
| Tipo de FET | N-canal |
| TECNOLOGÍA | MOSFET (Óxido de metal) |
| Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) | 150V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 79A (Tc) |
Voltaje de Conducción (Max Rds On, Min Rds On) |
6V, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id |
4V @ 250uA |
| Carga de Puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| La capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 5870pF @ 25V |
| Vgs (Máx) | ±20V |
| Disposición de energía (máximo) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 33A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°c ~ 175°c (tj) |
| Tipo de montaje | A través del agujero |
| Paquete de dispositivos del proveedor | TO-220-3 |
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Artículos de pagoLas partidas: Canales de Tarjeta de Crédito: Por favor, envíenos la factura de remesa después de los pagos |
Artículos del EnvíoEnvío express: Envío aéreo: Correo normal: |
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| Garantía de calidad |
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Cotización de BOM |
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