ترانزیستورهای سوراخ دار MOSFET IRFB4115PBF 150V 104A 11mOhm جکینگ یک ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی (MOSFET) با توان بالا است که برای عملکرد قوی در برنامه‌های چالش‌برانگیز طراحی شده است. این دستگاه از نوع N-channel دارای حداکثر ولتاژ 150V و ظرفیت جریان 104A است که آن را برای الکترونیک قدرت و سیستم‌های کنترل موتور مناسب می‌سازد. مقاومت پایین 11mOhm اطمینان می‌دهد که در حین کار، حداقل اتلاف انرژی وجود دارد.
ویژگی‌های کلیدی:
| سبک نصب: | Montage از طریق سوراخ |
| بسته / کیس: | TO-220-3 |
| قطبيت ترانزيستور: | کانال N |
| تعداد کانال ها: | کانال 1 |
| Vds - ولتاژ قطع منبع تخلیه: | 150 ولت |
| Id - جریان تخلیه مداوم: | 104A |
| Rds On - مقاومت منبع تخلیه: | ۹٫۳ مالم |
| Vgs - ولتاژ منبع دروازه: | - 20 ولت + 20 ولت |
| Vgs th - ولتاژ آستانه ی منبع دروازه: | 5 ولت |
| Qg - بار دروازه: | 77 بعد از میلاد |
مجموعه مدارهای یکپارچه TDA8954TH - دیگر IC های تخصصی برای برنامه های سفارشی
ICهای صوتی اصلی Jeking Multiwatt-15 TDA7294 TDA7294V
AN56778، PowerPSoC - شارژر خورشیدی MPPT با راننده LED یکپارچه با استفاده از CY8CLED04D01-56LTXI Infineon Technologies AG
ترانزیستور RF ESP32-WROOM-32E-N4 - نیمه هادی فرکانس بالا برای دستگاه های ارتباطات بی سیم
ترانزیستور NCE80TD65BT IGBT TO-247 DIP 650V 80A
ATPL360-EK، PL360B کیت ارزیابی برای ارتباطات خط برق (PLC) طراحی مرجع با استفاده از قسمت ATSAM4CMS16C توسط فناوری میکروچیپ
تیم دوستانه ما دوست داره که از شما خبر داشته باشه یا به ما ایمیل بفرستید در سایت@icking.com!