ترانزیستور MOSFET IRFB4115PBF - ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز با عملکرد بالا

توضیحات

IRFB4115PBF یک ترانزیستور اثر میدانی است ترانزیستور این قطعه توسط شرکت Infineon Technologies تولید شده است. کاربرد اصلی آن در راستای اصلاح هم‌زمان با بازده بالا در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، منابع تغذیه بدون وقفه (UPS)، سوئیچینگ سریع قدرت، مدارهای سوئیچینگ سخت و مدارهای کاربردی با فرکانس بالا می‌باشد. مزایای اصلی این قطعه عبارتند از: بهبود مقاومت دروازه (Gate)، مقاومت در برابر افت ولتاژ ناشی از افت ناگهانی ولتاژ (Avalanche) و مقاومت پویا در برابر تغییرات سریع ولتاژ (dv/dt)، همچنین مشخصه‌سازی کامل ظرفیت خازنی و پدیده افت ناگهانی ولتاژ (Avalanche).

SO؛ بهبودیابدی بدنه dV/dt؛ dI/dt ظرفیت و بدون سرب

دسته بندی محصول MOSFET
تولیدکننده تکنولوژی های اینفینیون
Стил مونتаж Montage از طریق سوراخ
بسته بندی / کیف TO-220-3
مصرف قدرت 380 W
دماي عملکرد - 55 C - + 175 C
بسته بندی لوله


محصولات پیشنهادی

دریافت نقل‌قول رایگان

نماینده ما به زودی با شما تماس خواهد گرفت.
ایمیل
نام
نام شرکت
پیام
0/1000
پیوست
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt
درخواست اطلاعات
با ما تماس بگیرید

تیم دوستانه ما دوست داره که از شما خبر داشته باشه یا به ما ایمیل بفرستید در سایت@icking.com!

آدرس ایمیل *
نام*
شماره تلفن*
نام شرکت*
فکس
کشور
پیام *

دریافت نقل‌قول رایگان

نماینده ما به زودی با شما تماس خواهد گرفت.
ایمیل
نام
نام شرکت
پیام
0/1000
پیوست
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt、stp、step、igs、x_t、dxf、prt、sldprt、sat、rar、zip