Jeking N-CH 100V 120A TO220AB MOSFET IRFB4110PBF یک ترانزیستور میدان اثر نیمه هادی اکسید فلزی با قدرت بالا (MOSFET) است که برای عملکرد برتر در برنامه های الکترونیکی قدرت طراحی شده است. این دستگاه کانال N دارای حداکثر ولتاژ 100 ولت و ظرفیت کنترل جریان 120A است که آن را به یک انتخاب ایده آل برای مدیریت انرژی و سیستم های محرک محرک می کند. بسته TO220AB از تبعید گرما کارآمد اطمینان می دهد و به قابلیت اطمینان و طول عمر کلی دستگاه کمک می کند.
ویژگی‌های کلیدی:
| نوع FET | کانال N |
| فناوری | MOSFET (اکسید فلز) |
| ولتاژ تخلیه به منبع (Vdss) | 100 ولت |
|
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C |
120A (Tc) |
| ولتاژ محرک (حداقل Rds On، حداقل Rds On) | 10v |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 4.5mOhm @ 75A، 10V |
| Vgs(th) (حداکثر) @ Id | 4V @ 250µA |
ترانزیستور RF ESP32-WROOM-32E-N4 - نیمه هادی فرکانس بالا برای دستگاه های ارتباطات بی سیم
ATPL360-EK، PL360B کیت ارزیابی برای ارتباطات خط برق (PLC) طراحی مرجع با استفاده از قسمت ATSAM4CMS16C توسط فناوری میکروچیپ
مجموعه مدارهای یکپارچه TDA8954TH - دیگر IC های تخصصی برای برنامه های سفارشی
ICهای صوتی اصلی Jeking Multiwatt-15 TDA7294 TDA7294V
AN56778، PowerPSoC - شارژر خورشیدی MPPT با راننده LED یکپارچه با استفاده از CY8CLED04D01-56LTXI Infineon Technologies AG
ترانزیستور NCE80TD65BT IGBT TO-247 DIP 650V 80A
تیم دوستانه ما دوست داره که از شما خبر داشته باشه یا به ما ایمیل بفرستید در سایت@icking.com!