Jeking N-CH 75V 80A TO220AB MOSFET IRFB3607PBF یک ترانزیستور میدان اثر نیمه هادی اکسید فلزی با قدرت بالا (MOSFET) است که برای عملکرد قوی در برنامه های کاربردی سخت طراحی شده است. این دستگاه کانال N دارای حداکثر ولتاژ 75 ولت و ظرفیت 80A جریان است که آن را برای سیستم های الکترونیک قدرت و کنترل موتور مناسب می کند. بسته TO220AB یک عامل فرم با دوام و گرمایی کارآمد را فراهم می کند که از تبعید گرمای بهینه در طول کار اطمینان حاصل می کند.
ویژگی‌های کلیدی:
| ولتاژ تخلیه به منبع (Vdss) | 75 ولت |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| ولتاژ محرک (حداقل Rds On، حداقل Rds On) | 10v |
| Rds On (Max) @ Id، Vgs | 9mOhm @ 46A، 10V |
| Vgs(th) (حداکثر) @ Id | 4 ولت @ 100μA |
| بار گيت (Qg) (حداقل) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Vgs (حداکثر) | ±20 ولت |
AN56778، PowerPSoC - شارژر خورشیدی MPPT با راننده LED یکپارچه با استفاده از CY8CLED04D01-56LTXI Infineon Technologies AG
ICهای صوتی اصلی Jeking Multiwatt-15 TDA7294 TDA7294V
مجموعه مدارهای یکپارچه TDA8954TH - دیگر IC های تخصصی برای برنامه های سفارشی
ترانزیستور RF ESP32-WROOM-32E-N4 - نیمه هادی فرکانس بالا برای دستگاه های ارتباطات بی سیم
ATPL360-EK، PL360B کیت ارزیابی برای ارتباطات خط برق (PLC) طراحی مرجع با استفاده از قسمت ATSAM4CMS16C توسط فناوری میکروچیپ
ترانزیستور NCE80TD65BT IGBT TO-247 DIP 650V 80A
تیم دوستانه ما دوست داره که از شما خبر داشته باشه یا به ما ایمیل بفرستید در سایت@icking.com!