جی کینگ اورجینال MOSFET 100V 180A 4.5mOhm IRFB4110 یک ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی با توان بالا (MOSFET) است که برای عملکرد برتر در کاربردهای الکترونیک قدرت طراحی شده است. این دستگاه از نوع N-channel دارای حداکثر ولتاژ 100V و ظرفیت جریان 180A است که آن را به انتخابی ایده آل برای سیستم‌های مدیریت قدرت و درایو موتور با نیازهای بالا تبدیل می‌کند. مقاومت پایین 4.5mOhm اطمینان می‌دهد که در حین کار، حداقل اتلاف انرژی رخ دهد.
ویژگی‌های کلیدی:
| سبک نصب: | Montage از طریق سوراخ |
| بسته / کیس: | TO-220-3 |
| Vds - ولتاژ قطع منبع تخلیه: | 100 ولت |
| Id - جریان تخلیه مداوم: | 180A |
| Rds On - مقاومت منبع تخلیه: | ۳.۷ mOhms |
ترانزیستور NCE80TD65BT IGBT TO-247 DIP 650V 80A
ICهای صوتی اصلی Jeking Multiwatt-15 TDA7294 TDA7294V
ATPL360-EK، PL360B کیت ارزیابی برای ارتباطات خط برق (PLC) طراحی مرجع با استفاده از قسمت ATSAM4CMS16C توسط فناوری میکروچیپ
مجموعه مدارهای یکپارچه TDA8954TH - دیگر IC های تخصصی برای برنامه های سفارشی
AN56778، PowerPSoC - شارژر خورشیدی MPPT با راننده LED یکپارچه با استفاده از CY8CLED04D01-56LTXI Infineon Technologies AG
ترانزیستور RF ESP32-WROOM-32E-N4 - نیمه هادی فرکانس بالا برای دستگاه های ارتباطات بی سیم
تیم دوستانه ما دوست داره که از شما خبر داشته باشه یا به ما ایمیل بفرستید در سایت@icking.com!