Transistor à effet de champ FGH60N60SFDIGBT - Semi-conducteur industriel haute efficacité

FGH60N60SFD est un IGBT de qualité automobile transistor fabriqué par onsemi. La puce présente une bonne stabilité et une résistance aux chocs élevée. Elle permet d’assurer en continu le courant maximal drain-source du FGH60N60SFD de 60 A ainsi que la tension de claquage drain-source de 600 V. Elle peut être utilisée dans les onduleurs solaires. Elle offre des performances optimales pour les groupes électrogènes, les onduleurs sans coupure (UPS), les machines à souder et les correcteurs de facteur de puissance (PFC). applications .