Le FGH60N60SFD est un transistor IGBT de qualité automobile fabriqué par onsemi. La puce présente une bonne stabilité et une résistance aux chocs. Elle peut assurer en continu un courant drain-source maximal de FGH60N60SFD de 60A et une tension de rupture drain-source de 600V. Elle peut être utilisée pour les onduleurs solaires. Offre des performances optimales pour les applications de générateur, de SAI, de soudure et de CFP.
| Modèle | FGH60N60SFD |
| Marque | ON/ON Semiconductor |
| Colis | TO-247 |
| Courant drain-source maximal | 60A |
| Tension de rupture drain-source | 600V |
| RDS(ON)Max | mΩ |
Nombre de broches |
3 |
| Caractéristiques | Diode IGBT |
Courant de fuite |
uA |
| Température de fonctionnement | -55℃~175℃ |
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