Transistor IGBT

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Transistor FQA60N65SMDIGBT - Transistor bipolaire à grille isolée haute puissance pour applications industrielles

Le FGA60N65SMD est un module IGBT de 600V et 60A fabriqué par ON Semiconductor. Il possède une tension nominale de 600V et un courant nominal de 60A, ce qui le rend adapté aux applications haute tension et haute puissance. Il adopte un design à faible résistance allumée, ce qui peut réduire les pertes de conduction et améliorer l'efficacité. De plus, il offre une vitesse d'interruption rapide, ce qui peut réduire les pertes d'interruption et améliorer l'efficacité. Enfin, il présente une tolérance élevée à haute température et peut s'adapter aux environnements chauds.


Applications en électronique de puissance : Adapté aux applications haute tension et haute puissance dans le domaine de l'électronique de puissance, telles que les convertisseurs de fréquence, les entraînements moteurs, etc.


Applications en contrôle industriel : Adapté aux applications haute tension et haute puissance dans le domaine du contrôle industriel, telles que les PLC, les robots industriels, etc.


Applications électroniques automobiles : Convient pour les applications haute tension et haute puissance dans le domaine de l'électronique automobile, telles que les véhicules électriques, les véhicules hybrides, etc.


Autres applications : Convient pour d'autres applications nécessitant une haute tension et une haute puissance, telles que les onduleurs solaires, les éoliennes, etc.

Numéro de produit du fabricant

FQA60N65SMD

Fabricant

onsemi
Type d'IGBT Arrêt de champ
Puissance - Max 600 W
Conditions d'essai 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Type de fixation Montage en trou

Emballage / boîtier

TO-3P

Fonctionnement Température -55°C ~ 175°C (TJ)


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