BUTÉE DE CHANTIER IGBT 650V 120A TO3P
FGA60N65SMD s’agit d’un module IGBT 600V, 60A produit par ON Semiconductor. Il a une tension nominale de 600V et un courant nominal de 60A, ce qui le rend adapté aux applications haute tension et haute puissance. Il adopte une conception à faible résistance à l’état passant, ce qui peut réduire les pertes de conduction et améliorer l’efficacité. Et il a également une vitesse de commutation rapide, ce qui peut réduire les pertes de commutation et améliorer l’efficacité. Enfin, il a une tolérance à haute température et peut s’adapter à des environnements à haute température.
Applications d’électronique de puissance : Convient aux applications haute tension et haute puissance dans le domaine de l’électronique de puissance, telles que les convertisseurs de fréquence, les variateurs de vitesse, etc.
Applications de contrôle industriel : Convient aux applications haute tension et haute puissance dans le domaine du contrôle industriel, telles que les PLC, les robots industriels, etc.
Applications électroniques automobiles : Convient aux applications haute tension et haute puissance dans le domaine de l’électronique automobile, telles que les véhicules électriques, les véhicules hybrides, etc.
Autres applications : Convient à d’autres applications nécessitant une tension et une puissance élevées, telles que les onduleurs solaires, les éoliennes, etc.
Numéro de produit du fabricant | FQA60N65SMD |
Fabricant | onsemi |
Type d’IGBT | Arrêt sur le terrain |
Puissance - Max | 600 W |
État d’essai | 400 V, 60 A, 3 Ohm, 15 V |
Type de montage | Trou traversant |
Emballage / Caisse | TO-3P |
OpérationnelTempérature | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
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