IGBT Transistor

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FQA60N65SMDIGBT Transistor - High-Power Insulated Gate Bipolar Transistor for Industrial Applications
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FQA60N65SMDIGBT Transistor - Transistor bipolaire à grille isolée haute puissance pour applications industrielles

BUTÉE DE CHANTIER IGBT 650V 120A TO3P

Description du produit

FGA60N65SMD s’agit d’un module IGBT 600V, 60A produit par ON Semiconductor. Il a une tension nominale de 600V et un courant nominal de 60A, ce qui le rend adapté aux applications haute tension et haute puissance. Il adopte une conception à faible résistance à l’état passant, ce qui peut réduire les pertes de conduction et améliorer l’efficacité. Et il a également une vitesse de commutation rapide, ce qui peut réduire les pertes de commutation et améliorer l’efficacité. Enfin, il a une tolérance à haute température et peut s’adapter à des environnements à haute température.


Applications d’électronique de puissance : Convient aux applications haute tension et haute puissance dans le domaine de l’électronique de puissance, telles que les convertisseurs de fréquence, les variateurs de vitesse, etc.


Applications de contrôle industriel : Convient aux applications haute tension et haute puissance dans le domaine du contrôle industriel, telles que les PLC, les robots industriels, etc.


Applications électroniques automobiles : Convient aux applications haute tension et haute puissance dans le domaine de l’électronique automobile, telles que les véhicules électriques, les véhicules hybrides, etc.


Autres applications : Convient à d’autres applications nécessitant une tension et une puissance élevées, telles que les onduleurs solaires, les éoliennes, etc.

Numéro de produit du fabricant

FQA60N65SMD

Fabricant

onsemi
Type d’IGBTArrêt sur le terrain
Puissance - Max600 W
État d’essai400 V, 60 A, 3 Ohm, 15 V
Type de montageTrou traversant

Emballage / Caisse 

TO-3P

OpérationnelTempérature-55 °C ~ 175 °C (TJ)


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