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IRFB4110PBF MOSFETs MOSFT 100V 180A 4,5mOhm TO-220-3

Description

Le MOSFET IRFB4110PBF de Jeking MOSFT 100V 180A 4.5mOhm TO-220-3 est un transistor à effet de champ en métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) haute puissance conçu pour des performances supérieures dans les applications d'électronique de puissance. Ce dispositif à canal N possède une tension maximale de 100V et une capacité de courant de 180A, ce qui en fait un choix idéal pour les systèmes de gestion de puissance et de commande de moteur exigeants. La faible résistance de 4.5mOhm garantit une perte de puissance minimale pendant le fonctionnement.

Caractéristiques principales :

  • MOSFET à canal N pour une commutation efficace et une amplification linéaire
  • Voltage nominal élevé de 100 V pour un fonctionnement robuste dans les circuits électriques
  • Capacité de traitement de courant de 180A pour des performances exceptionnelles
  • Faible résistance de 4,5 mOhm pour une perte de puissance minimale
  • Convient pour l'électronique de puissance, les entraînements de moteur et d'autres applications à fort courant
  • Construction robuste pour une durée de vie prolongée et une fiabilité
Emballage / Boîtier : TO-220-3
Polarité du transistor : Canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage Drain-Source : pour les appareils électroniques
Id - Courant de Drain continu : 180 A
Rds On - Résistance Drain-Source : 3,7 mOhms
Vgs - Tension Gate-Source : - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil Gate-Source : 1, 8 V
Qg - Charge de Gate : 150 après JC
Pd - Dissipation de puissance : 370 W

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