Les MOSFET Jeking IRFB4110PBF, MOSFT 100 V, 180 A, 4,5 mΩ, boîtier TO-220-3, sont des transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET) en technologie métal-oxyde-semiconducteur haute puissance transistor conçus pour offrir des performances supérieures dans les applications d’électronique de puissance applications . Ce composant N-channel présente une tension maximale de 100 V et une capacité de courant de 180 A, ce qui en fait un choix idéal pour les systèmes exigeants de gestion de puissance et d’entraînement de moteurs. Sa faible résistance de 4,5 mΩ garantit des pertes de puissance minimales en fonctionnement.
Caractéristiques principales :
| Emballage / Boîtier : | TO-220-3 |
| Polarité du transistor : | Canal N |
| Nombre de canaux : | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage Drain-Source : | pour les appareils électroniques |
| Id - Courant de Drain continu : | 180 A |
| Rds On - Résistance Drain-Source : | 3,7 mOhms |
| Vgs - Tension Gate-Source : | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil Gate-Source : | 1, 8 V |
| Qg - Charge de Gate : | 150 après JC |
| Pd - Dissipation de puissance : | 370 W |
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