MOSFET

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Jecking Original MOSFT 200V 130A 9,7mOhm TO-247-3 IRFP4668 IRFP4668 PBF Pour les appareils électroniques, les appareils électroniques et les appareils électroniques

Description

Le Jeking Original MOSFET 200 V, 130 A, 9,7 mΩ, boîtier TO-247-3 IRFP4668 est un transistor à effet de champ à grille isolée en silicium (MOSFET) haute puissance transistor conçus pour offrir des performances supérieures dans les applications d’électronique de puissance applications . Ce composant N-channel présente une tension maximale de 200 V et une capacité de courant de 130 A, ce qui en fait un choix idéal pour les systèmes exigeants de gestion de puissance et d’entraînement de moteurs. Le boîtier TO-247-3 assure une dissipation thermique efficace, contribuant ainsi à la fiabilité globale et à la longévité du dispositif.

Caractéristiques principales :

  • MOSFET à canal N pour une commutation efficace et une amplification linéaire
  • Tension élevée de 200V pour un fonctionnement robuste dans les circuits de puissance
  • Capacité de gestion du courant de 130A pour des performances exceptionnelles
  • Boîtier TO-247-3 pour une gestion thermique supérieure
  • Convient pour l'électronique de puissance, les entraînements de moteur et d'autres applications à fort courant
  • Construction robuste pour une durée de vie prolongée et une fiabilité
Style de montage : Montage en trou
Emballage / Boîtier : TO-247-3
Vds - Tension de claquage Drain-Source : pour les appareils à combustion
Id - Courant de Drain continu : 130 A

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