Transistor IGBT

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Pour le Transistor IGBT Jeking RJP63K2 en TO-263 Fourni par un Distributeur, Performance Fiable

Description

Transistor IGBT Jeking TO-263 Type RJP63K2 Performance fiable
Article
Transistor IGBT Jeking TO-263 Type RJP63K2 Performance fiable
Type
Le RJP63K2 est un IGBT à canal N fabriqué par Renesas Electronics, spécifiquement conçu pour les applications de commutation de puissance haute vitesse. Il présente une faible chute de tension en état conducteur (V_CE(sat) typique = 1,9V) et une grande vitesse de commutation (temps de montée de 60ns et
temps de chute de 200 ns).
Plage de résistance à la tension :
Prend en charge les applications haute tension, avec la tension de rupture drain-source (VDSS) non explicitement
indiquée, mais des dispositifs similaires couvrent généralement des tensions supérieures à 600 V.
Faible courant de fuite :
ICES ≤ 1μA (maximum), adapté aux conceptions à faible consommation d'énergie
Application
Circuit de commutation de puissance : Adapté aux scénarios de commutation de puissance haute fréquence tels que les alimentations en tension par commutation et les onduleurs, en utilisant ses caractéristiques à faibles pertes pour améliorer l'efficacité ;
Commande de moteur : Utilisé dans les modules de contrôle de moteur (comme les variateurs
de fréquence), prenant en charge la modulation PWM haute vitesse et le contrôle de courant.
Température de fonctionnement
-40~+85 ℃
Numéro de pièce
RJP63K2
Style de fixation
montage en trou
Emballage/case
TO-220FL
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