MOSFET

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Catégorie de produit Transistor MOSFET G40N60 N-CH 600V 40A TO247AC de haute qualité

Description

MOSFET de haute qualité G40N60 N-CH 600 V 40 A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD
Article
MOSFET de haute qualité G40N60 N-CH 600 V 40 A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD
Type
SIHG40N60UFD est un IGBT transistor avec des tensions et courants nominaux élevés.
Caractéristique
Tension collecteur-émetteur nominale : 600 V, courant collecteur maximal : 40 A, dissipation de puissance jusqu'à 100 W
Diode de récupération rapide intégrée, compatible avec la commutation haute fréquence applications
Temps d'amorçage : 67 nanosecondes, temps de blocage : 190 nanosecondes, adapté aux scénarios de contrôle de puissance
Application
Utilisé principalement dans les onduleurs, les soudeuses, les variateurs de moteurs et autres équipements industriels, il prend en charge la commutation haute fréquence et la sortie haute puissance.
Température de fonctionnement
-50~+150 ℃
Numéro de pièce
SIHG40N60UFD
Style de fixation
montage en trou
Emballage/case
TO-247
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