Catégorie de produit Transistor MOSFET G40N60 N-CH 600V 40A TO247AC de haute qualité

MOSFET de haute qualité G40N60 N-CH 600 V 40 A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD

Article	MOSFET de haute qualité G40N60 N-CH 600 V 40 A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD
Type	Le SIHG40N60UFD est un transistor IGBT avec des tensions et courants élevés.
Caractéristique	Tension collecteur-émetteur nominale : 600 V, courant collecteur maximal : 40 A, dissipation de puissance jusqu'à 100 W
	Diode de récupération rapide intégrée, prend en charge les applications de commutation haute fréquence
	Temps d'amorçage : 67 nanosecondes, temps de blocage : 190 nanosecondes, adapté aux scénarios de contrôle de puissance
Application	Utilisé principalement dans les onduleurs, les soudeuses, les variateurs de moteurs et autres équipements industriels, il prend en charge la commutation haute fréquence et la sortie haute puissance.
Température de fonctionnement	-50~+150 ℃
Numéro de pièce	SIHG40N60UFD
Style de fixation	montage en trou
Emballage/case	TO-247

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