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Transistor MOSFET de Haute Qualité N-CH 1000V 6,1A TO-247AC IRFPG50

Description

Transistor MOSFET de Haute Qualité N-CH 1000V 6,1A TO-247AC IRFPG50
Article
Transistor MOSFET de Haute Qualité N-CH 1000V 6,1A TO-247AC IRFPG50
type
Jeking TO247 1 kV, 6,1 A, MOSFET N-Canal transistor IRFPG50 IRFPG50PBF
Pd - Dissipation de puissance :
190 W
Vds - Tension de claquage Drain-Source :
1 kV
Id - Courant de Drain continu :
6,1 A
Application
divers
Température de fonctionnement
-55~+150 ℃
Numéro de pièce
IRFPG50PBF
Style de fixation
Montage en trou
Emballage/case
TO-247-3
Emballage :
Tube
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