Article |
Transistor MOSFET de haute qualité, canal N, 60 V, 48 A, boîtier TO-220AB NDP6060 |
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type |
Jeking MOSFET transistor Mode d'amélioration FET à canal N NDP6060 |
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Pd - Dissipation de puissance : |
100 W |
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Vds - Tension de claquage Drain-Source : |
60 V |
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Id - Courant de Drain continu : |
48 A |
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Rds On - Résistance Drain-Source : |
25 mOhms |
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Application |
divers |
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Température de fonctionnement |
-65 °C ~ +175 °C |
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Numéro de pièce |
NDP6060 |
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Style de fixation |
Montage en trou |
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Emballage/case |
TO-220-3 |
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Emballage : |
Tube |
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