Article |
Transistor FGA60N65SMD FGA60N65 en forte demande avec prix bas |
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Description |
Transistors IGBT 650 V, 60 A, IGBT à arrêt de champ |
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Pd - Dissipation de l'énergie |
600 W |
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Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max |
650 V |
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Voltage de saturation du collecteur-émetteur |
1,9 V |
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Courant collecteur continu à 25 °C |
120 A |
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Application |
divers |
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Température de fonctionnement |
-55 °C ~ +175 °C |
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Numéro de pièce |
FGA60N65SMD |
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Style de fixation |
Montage en trou |
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Emballage/case |
TO-3PN |
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Emballage |
Tube |
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