Transistor IGBT

Page d'accueil >  Produits >  Transistor >  Transistor IGBT

Transistor IGBT FGAN60N65SMD en forte demande, prix abordable

Description

Transistor FGA60N65SMD FGA60N65 en forte demande avec prix bas
Article
Transistor FGA60N65SMD FGA60N65 en forte demande avec prix bas
Description
Transistors IGBT 650 V, 60 A, IGBT à arrêt de champ
Pd - Dissipation de l'énergie
600 W
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max
650 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur
1,9 V
Courant collecteur continu à 25 °C
120 A
Application
diverses
Température de fonctionnement
-55 °C ~ +175 °C
Numéro de pièce
FGA60N65SMD
Style de fixation
Montage en trou
Emballage/case
TO-3PN
Emballage
Tube
Détails des produits
Produits recommandés
Profil de l'entreprise
Pourquoi nous choisir
FAQ

Produits recommandés

Obtenez un Devis Gratuit

Notre représentant vous contactera bientôt.
Email
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000
Pièce jointe
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt
inquiry
Contactez-nous

Notre sympathique équipe adorerait avoir de vos nouvelles ! Ou envoyez-nous un email sur [email protected] !

Adresse E-mail *
Nom*
Numéro de téléphone*
Nom de l'entreprise*
Fax
Pays
Message *

Obtenez un Devis Gratuit

Notre représentant vous contactera bientôt.
Email
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000
Pièce jointe
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt、stp、step、igs、x_t、dxf、prt、sldprt、sat、rar、zip