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Jeking GW80H65DFB Transistor IGBT à grille en tranchée et arrêt de champ 650 V 80 A Série HB à haute vitesse STGW80H65DFB

Description

Jeking GW80H65DFB Transistor IGBT à grille en tranchée et arrêt de champ 650 V 80 A Série HB à haute vitesse STGW80H65DFB
Description du produit
Description :
Transistor IGBT Jeking à grille en tranchée FieldStop 650 V 80 A STGW80H65DFB
Pd - Dissipation de puissance :
469 W
Courant collecteur continu maximal Ic :
80 A
Courant continu du collecteur à 25 C :
120 A
Tension collecteur- émetteur VCEO Max :
650 V
Température de fonctionnement :
-55 °C ~ +175 °C
Style de montage :
Montage en trou
Emballage / Boîtier :
TO-247-3
Emballage :
Tube
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