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Jeking IGBT Mosfet en plastique IRG7IC28U fabriqué en Chine

Description

Jeking IGBT Mosfet en plastique IRG7IC28U fabriqué en Chine
Article
Jeking IGBT Mosfet en plastique IRG7IC28U fabriqué en Chine
Type
Jeking 1200 V / 35 A Module IGBT en demi-pont avec diode inverse parallèle intégrée IRG7IC28U
Tension / Courant nominaux :
Tension collecteur-émetteur (VCES) de 1200 V, courant continu de 35 A
Pertes de conduction :
La tension de saturation (VCE(sat)) est seulement de 1,85 V
Diode intégrée :
Le temps de récupération inverse (trr) est seulement de 110 ns, réduisant ainsi les pertes de roue libre
Application
diverses
Température de fonctionnement
-40~+85 ℃
Numéro de pièce
IRG7IC28U
Style de fixation
-
Emballage/case
-
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