Article |
Jeking IGBT Mosfet en plastique IRG7IC28U fabriqué en Chine |
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Type |
Jeking 1200 V / 35 A Module IGBT en demi-pont avec diode inverse parallèle intégrée IRG7IC28U |
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Tension / Courant nominaux : |
tension collecteur-émetteur (VCES) de 1200 V, courant continu de 35 A |
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Pertes de conduction : |
La tension de saturation (VCE(sat)) est seulement de 1,85 V |
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Diode intégrée : |
Le temps de récupération inverse (trr) est seulement de 110 ns, réduisant ainsi les pertes de roue libre |
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Application |
diverses |
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Température de fonctionnement |
-40~+85 ℃ |
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Numéro de pièce |
IRG7IC28U |
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Style de fixation |
- |
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Emballage/case |
- |
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