वस्तु |
उच्च गुणवत्ता द्रव क्रिस्टल प्लाज्मा फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर TO-220 RJP63K2 |
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प्रकार |
RJP63K2 रेनेसास इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा निर्मित एक N-चैनल IGBT है, जो उच्च-गति वाले शक्ति स्विचिंग के लिए विशेष रूप से डिज़ाइन किया गया है अनुप्रयोग . इसमें कम ऑन-स्टेट वोल्टेज ड्रॉप (विशिष्ट V_CE(sat) = 1.9V) और उच्च स्विचिंग गति (उठाने का समय 60ns और गिरावट का समय 200ns है। |
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वोल्टेज सहन श्रेणी: |
उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों का समर्थन करता है, जिसमें ड्रेन-टू-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (VDSS) स्पष्ट रूप से निर्दिष्ट नहीं किया गया है, लेकिन इसी तरह के अन्य उपकरण आमतौर पर 600V से अधिक रेटिंग कोver करते हैं। |
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कम रिसाव धारा: |
ICES ≤ 1μA (अधिकतम), कम-शक्ति डिजाइन के लिए उपयुक्त |
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अनुप्रयोग |
पावर स्विच रेखा: स्विचमोड पावर सप्लाई और इनवर्टर्स जैसी उच्च-बारंबारता पावर स्विचिंग परिस्थितियों के लिए उपयुक्त, अपने कम-हानि विशेषताओं का उपयोग करके कार्यक्षमता में सुधार;
मोटर ड्राइव: मोटर नियंत्रण मॉड्यूल्स (जैसे variable
आवृत्ति ड्राइव) में उपयोग किया जाता है, उच्च-गति PWM मॉडुलेशन और धारा नियंत्रण का समर्थन करता है। |
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कार्यशील तापमान |
-40~+85 ℃ |
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भाग की संख्या |
RJP63K2 |
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माउंटिंग स्टाइल |
होल के माध्यम से |
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पैकेज/केस |
TO-220FL |
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जेकिंग DGTL ISOLTR 3KV 2CH I2C 8-SOIC ISO1641 आईसी ISO1641BDR
जेकिंग XC7Z045 आईसी XC7Z045-2FFG900E 900FCBGA
जेकिंग नया और मूल इलेक्ट्रॉनिक कंपोनेंट 16-बिट माइक्रोकंट्रोलर IC LQFP-80 M30280FAHP
जेकिंग LTM4616IV DC DC कनवर्टर 0.6-5V 0.6-5V LTM4616IV#PBF
Jeking VP231 1/1 ट्रांससीवर हाफ CANbus IC SN65HVD231DR
जेकिंग OPAMP DIFF 1 सर्किट 8MSOP LTC6363 IC LTC6363IMS8#TRPBF
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