आइटम |
जेकिंग प्लास्टिक IGBT मॉस्फेट IRG7IC28U चीन में निर्मित |
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प्रकार |
जीकिंग 1200V/35A IGBT हाफ-ब्रिज मॉड्यूल एकीकृत विपरीत-समानांतर डायोड IRG7IC28U |
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वोल्टेज/धारा रेटिंग: |
1200V कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (VCES), 35A निरंतर धारा |
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चालन हानि: |
संतृप्ति वोल्टेज ड्रॉप (VCE(sat)) केवल 1.85V है |
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एकीकृत डायोड: |
विपरीत पुनर्प्राप्ति समय (trr) केवल 110ns है, जो फ्रीव्हीलिंग हानि को कम करता है |
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अनुप्रयोग |
विभिन्न |
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कार्यशील तापमान |
-40~+85 ℃ |
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भाग की संख्या |
IRG7IC28U |
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माउंटिंग स्टाइल |
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पैकेज/केस |
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जेकिंग MCU 32BIT 2MB FLASH 144LQFP PIC32MZ2048EFH144 IC PIC32MZ2048EFH144-250I/PL
जेकिंग मूल मेमोरी आईसी PDIP-28 AT27C256R AT27C256R-70PU
जेकिंग उच्च गुणवत्ता की मूल एकीकृत परिपथ TSSOP-20 CTEM1002
उच्च गुणवत्ता IC PS767D318 REG LIN 1.8V/3.3V 1A 28HTSSOP TPS767D318PWPR
Jeking TO-252-3 DPAK-3 ट्रांजिस्टर MOSFET IRLR024NTRPBF
जेकिंग नया और मूल मॉसफेट SOT-323-3 SI1308EDL-T1-GE3
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