वस्तु |
जेकिंग प्लास्टिक IGBT मॉस्फेट IRG7IC28U चीन में निर्मित |
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प्रकार |
जीकिंग 1200V/35A IGBT हाफ-ब्रिज मॉड्यूल एकीकृत विपरीत-समानांतर डायोड IRG7IC28U |
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वोल्टेज/धारा रेटिंग: |
1200V कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (VCES), 35A निरंतर धारा |
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चालन हानि: |
संतृप्ति वोल्टेज ड्रॉप (VCE(sat)) केवल 1.85V है |
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एकीकृत डायोड: |
विपरीत पुनर्प्राप्ति समय (trr) केवल 110ns है, जो फ्रीव्हीलिंग हानि को कम करता है |
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अनुप्रयोग |
विभिन्न |
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कार्यशील तापमान |
-40~+85 ℃ |
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भाग की संख्या |
IRG7IC28U |
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माउंटिंग स्टाइल |
- |
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पैकेज/केस |
- |
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SCT013 विभाजित प्रकार करंट ट्रांसफार्मर क्लैंप प्रकार ओपन प्रकार करंट ट्रांसफार्मर
जेकिंग MOSFET 400V N-CH HEXFET N-चैनल थ्रू होल TO-220AB-3 ट्रांजिस्टर IRF740PBF
जेकिंग उच्च गुणवत्ता मूल एकीकृत परिपथ DIP G5CE-1-24V
जेकिंग मूल माइक्रोकंट्रोलर - MCU माइक्रोकंट्रोलर - MCU PIC18F4550-I-P
Jeking उच्च गुणवत्ता वाला 16NSOP A/D फ्लैश MCU ईईपीROM के साथ HT66F0176
जेकिंग XC7K70T आईसी XC7K70T-3FBG676E 676BBGA
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