transistor igbt

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transistor fqa60n65smdigbt - transistor bipolare a porta isolata ad alta potenza per applicazioni industriali

Igbt campo di arresto 650v 120a a3p

Descrizione del prodotto

fga60n65smd è un modulo 600v, 60a igbt prodotto da on semiconduttore. ha una tensione nominale di 600v e una corrente nominale di 60a, che lo rende adatto per applicazioni ad alta tensione e alta potenza. adotta un design a bassa resistenza, che può ridurre le perdite


applicazioni di elettronica di potenza: adatte alle applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel campo dell'elettronica di potenza, come convertitori di frequenza, motori, ecc.


applicazioni di controllo industriale: adatte per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel campo del controllo industriale, come PLC, robot industriali, ecc.


applicazioni per l'elettronica automobilistica: adatte per applicazioni ad alta tensione e ad alta potenza nel settore dell'elettronica automobilistica, come veicoli elettrici, veicoli ibridi, ecc.


altre applicazioni: adatte ad altre applicazioni che richiedono alta tensione e alta potenza, come inverter solari, turbine eoliche, ecc.

numero del prodotto del fabbricante

Fqa60n65smd

fabbricante

- Semi
Tipo di igbtfermata sul campo
potenza - max600w
condizione di prova400V, 60A, 3ohm, 15V
tipo di montaggioattraverso il buco

confezione / custodia

a-3p

funzionamentotemperatura-55°c ~ 175°c (tj)


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