Transistor nce80td65bt igt a-247 dip 650v 80a

Il transistor IGBT NCE80TD65BT TO-247 DIP 650V 80A di Jeking è un transistor bipolare a gate isolato (IGBT) ad alta potenza progettato per prestazioni robuste in applicazioni impegnative. Questo IGBT offre una tensione massima di 650V e una capacità di gestione della corrente di 80A, rendendolo adatto per elettronica di potenza e sistemi di controllo motore. Il pacchetto TO-247 fornisce un fattore di forma durevole ed efficientemente termico, garantendo una dissipazione del calore ottimale durante il funzionamento.

Caratteristiche principali:

• Transistor bipolare a gate isolato (IGBT) per commutazione efficiente e amplificazione lineare
• Alta tensione nominale di 650 V per un funzionamento affidabile nei circuiti di alimentazione
• Capacità di gestione della corrente di 80A per prestazioni robuste
• Involucro TO-247 per una gestione termica superiore
• Adatto per elettronica di potenza, azionamenti di motori e altre applicazioni ad alta corrente
• Costruzione robusta per una vita utile prolungata e affidabilità