Mosfet

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Categoria del prodotto Transistor MOSFET G40N60 di alta qualità N-CH 600V 40A TO247AC

Descrizione

G40N60 MOSFET di alta qualità N-CH 600V 40A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD
Voce
G40N60 MOSFET di alta qualità N-CH 600V 40A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD
TIPO
SIHG40N60UFD è un transistor IGBT con elevate tensioni di tensione e corrente.
Caratteristica
Tensione collettore-emettitore nominale 600 V, corrente massima nel collettore 40 A, dissipazione di potenza fino a 100 W
Diodo di recupero rapido integrato, supporta applicazioni di commutazione ad alta frequenza
Tempo di accensione: 67 nanosecondi, tempo di spegnimento: 190 nanosecondi, adatto per scenari di controllo della potenza
Applicazione
Utilizzato principalmente in inverter, saldatrici, motori e altri apparecchi industriali, supporta l'interruzione ad alta frequenza e l'uscita ad alta potenza.
Temperatura di funzionamento
-50~+150 ℃
Numero di parte
SIHG40N60UFD
Stile di montaggio
attraverso il buco
Confezione/cassetta
A-247
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