Voce |
G40N60 MOSFET di alta qualità N-CH 600V 40A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD |
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TIPO |
SIHG40N60UFD è un transistor IGBT con elevate tensioni di tensione e corrente. |
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Caratteristica
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Tensione collettore-emettitore nominale 600 V, corrente massima nel collettore 40 A, dissipazione di potenza fino a 100 W |
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Diodo di recupero rapido integrato, supporta applicazioni di commutazione ad alta frequenza |
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Tempo di accensione: 67 nanosecondi, tempo di spegnimento: 190 nanosecondi, adatto per scenari di controllo della potenza |
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Applicazione |
Utilizzato principalmente in inverter, saldatrici, motori e altri apparecchi industriali, supporta l'interruzione ad alta frequenza e l'uscita ad alta potenza. |
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Temperatura di funzionamento |
-50~+150 ℃ |
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Numero di parte |
SIHG40N60UFD |
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Stile di montaggio |
attraverso il buco |
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Confezione/cassetta |
A-247 |
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