Mosfet
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Articolo |
Transistore MOS di alta qualità MOSFET canale N 60V 48A TO-220AB NDP6060 |
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tipo |
Jeking MOSFET transistor FET a canale N, modalità di miglioramento NDP6060 |
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Pd - Dissipazione di potenza: |
100 W |
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Vds - Tensione di rottura Drain-Source: |
60 V |
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Id - Corrente continua di Drain: |
48 A |
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Rds On - Resistenza Drain-Source: |
25 mOhms |
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Applicazione |
vari |
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Temperatura di funzionamento |
-65 °C ~ +175 °C |
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Numero di parte |
NDP6060 |
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Stile di montaggio |
Attraverso il buco |
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Confezione/cassetta |
TO-220-3 |
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Imballaggio: |
Tubo |
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