Altri transistor
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Voce |
Alta Qualità Cristallo Liquido Plasma Transistor a Effetto Campo TO-220 RJP63K2 |
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TIPO |
Il RJP63K2 è un IGBT a canale N prodotto da Renesas Electronics, specificamente progettato per applicazioni di commutazione elettrica ad alta velocità. Presenta un basso drop di tensione in stato attivo (V_CE(sat) tipico = 1,9V) e alta velocità di commutazione (tempo di salita di 60ns e tempo di caduta di 200ns). |
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Intervallo di resistenza alla tensione: |
Supporta applicazioni ad alta tensione, con la tensione di rottura drain-to-source (VDSS) non esplicitamente indicata, ma dispositivi simili coprono generalmente valori superiori a 600V. |
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Bassa corrente di fuga: |
ICES ≤ 1μA (massimo), adatto per progetti a basso consumo |
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APPLICAZIONE |
Circuito di interruttore di alimentazione: Adatto per scenari di commutazione di alimentazione ad alta frequenza, come alimentatori a commutazione e inverters, utilizzando le sue caratteristiche a bassa perdita per migliorare l'efficienza;
Comando motore: Utilizzato nei moduli di controllo dei motori (come i vari
frequenza drives), supportando la modulazione PWM ad alta velocità e il controllo della corrente. |
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Temperatura di funzionamento |
-40~+85 ℃ |
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Numero di parte |
RJP63K2 |
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Stile di montaggio |
attraverso il buco |
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Confezione/cassetta |
TO-220FL |
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