Transistor igbt

Homepage >  Prodotti >  Transistor >  Transistor igbt

Transistor IGBT FGAN60N65SMD vendita promozionale a prezzo accessibile

Descrizione

Transistor in vendita popolare FGA60N65SMD FGA60N65 con prezzo basso
Voce
Transistor in vendita popolare FGA60N65SMD FGA60N65 con prezzo basso
Descrizione
IGBT 650 V, 60 A Transistor IGBT a campo arrestato
Pd - Dissipation di potenza
600 W
Voltaggio VCEO Max
650 V
Tensione di saturazione del collettore-emettitore
1,9 V
Corrente continua del collettore a 25 °C
120 a
Applicazione
vari
Temperatura di funzionamento
-55 °C ~ +175 °C
Numero di parte
FGA60N65SMD
Stile di montaggio
Attraverso il buco
Confezione/cassetta
TO-3PN
Imballaggio
Tubo
Dettagli dei Prodotti
Consiglia Prodotti
Profilo dell'azienda
Perché sceglierci
Domande Frequenti

Prodotti consigliati

Richiedi un Preventivo Gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000
Allegato
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt
inquiry
Contattaci

Il nostro team amichevole vorrebbe sentirti! o inviateci un'email a [email protected]!

Indirizzo Email *
Nome*
Numero di telefono*
Nome dell'azienda*
Fax
Paese
Messaggio *

Richiedi un Preventivo Gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà a breve.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000
Allegato
Up to 3 files,more 30mb,suppor jpg、jpeg、png、pdf、doc、docx、xls、xlsx、csv、txt、stp、step、igs、x_t、dxf、prt、sldprt、sat、rar、zip