Transistor igbt

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Jeking IGBT Mosfet in Plastica IRG7IC28U Prodotto in Cina

Descrizione

Jeking IGBT Mosfet in Plastica IRG7IC28U Prodotto in Cina
Voce
Jeking IGBT Mosfet in Plastica IRG7IC28U Prodotto in Cina
TIPO
Jeking 1200V/35A IGBT Modulo Mezza Ponte con diodo integrato in antiparallelo IRG7IC28U
Tensione/Corrente nominale:
Tensione collettore-emettitore (VCES) 1200V, Corrente continua 35A
Perdite di conduzione:
Caduta di tensione in saturazione (VCE(sat)) pari soltanto a 1,85V
Diodo integrato:
Tempo di recupero inverso (trr) pari soltanto a 110ns, riducendo le perdite di ricircolo
Applicazione
vari
Temperatura di funzionamento
-40~+85 ℃
Numero di parte
IRG7IC28U
Stile di montaggio
-
Confezione/cassetta
-
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