Igbtトランジスタ
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アイテム |
Jeking プラスチック IGBT Mosfet IRG7IC28U 中国製 |
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タイプ |
ジェーキング 1200V／35A IGBT ハーフブリッジモジュール 逆並列ダイオード内蔵 IRG7IC28U |
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電圧／電流定格： |
コレクタ－エミッタ間電圧（VCES）1200V、連続電流35A |
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導通損失： |
飽和電圧降下（VCE(sat)）はわずか1.85V |
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内蔵ダイオード： |
逆回復時間（trr）はわずか110nsで、フリーホイール損失を低減 |
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応用 |
さまざまな |
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動作温度 |
-40~+85 ℃ |
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部品番号 |
IRG7IC28U |
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装着スタイル |
- |
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パッケージ/ケース |
- |
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