Igbt 트랜지스터
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항목 |
Jeking IGBT 트랜지스터 TO-263 RJP63K2 타입 신뢰할 수 있는 성능 |
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유형 |
RJP63K2는 높은 속도의 전력 스위칭 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 레네사스 일렉트로닉스에서 생산한 N채널 IGBT입니다. 낮은 온 상태 전압 강하(전형적인 V_CE(sat) = 1.9V)와 빠른 스위칭 속도(상승 시간 60ns 및 200ns의 떨어지는 시간). |
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내전압 범위: |
고전압 애플리케이션을 지원하며, 드레인-소스 분해 전압 (VDSS)은 명시적으로 표기되지 않았으나 유사한 장치들은 일반적으로 600V 이상의 등급을 커버합니다. |
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저 누설 전류: |
ICES ≤ 1μA (최대값), 저전력 설계에 적합 |
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응용 |
전원 스위치 회로: 스위치 모드 전원 공급 장치 및 인버터와 같은 고주파 전원 스위치 시나리오에 적합하며, 저손실 특성을 활용하여 효율성을 향상시킴;
모터 드라이브: 모터 제어 모듈(예: 변주기 드라이브)에서 사용되며, 고속 PWM 모듈레이션과 전류 제어를 지원함.
주파수 드라이브)에 사용되며, 고속 PWM 모듈레이션과 전류 제어를 지원합니다. |
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작동 온도 |
-40~+85 ℃ |
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부품 번호 |
RJP63K2 |
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장착 방식 |
구멍을 통해 |
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패키지/케이스 |
TO-220FL |
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제킹 MCU 32비트 2MB 플래시 144LQFP PIC32MZ2048EFH144 IC PIC32MZ2048EFH144-250I/PL
제킹 원래 메모리 ICs PDIP-28 AT27C256R AT27C256R-70PU
제킹 고품질 원래 통합 회로 TSSOP-20 CTEM1002
고품질 IC PS767D318 REG LIN 1.8V/3.3V 1A 28HTSSOP TPS767D318PWPR
제킹 TO-252-3 DPAK-3 트랜지스터 모스펫 IRLR024NTRPBF
제킹 새로운 그리고 원래의 MOSFET SOT-323-3 SI1308EDL-T1-GE3
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