Igbt 트랜지스터
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항목 |
Jeking 플라스틱 IGBT Mosfet IRG7IC28U 중국 제조 |
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유형 |
Jeking 1200V/35A IGBT 하프 브리지 모듈 역병렬 다이오드 내장 IRG7IC28U |
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전압/전류 정격: |
1200V 컬렉터-에미터 전압 (VCES), 35A 연속 전류 |
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전도 손실: |
포화 전압 강하 (VCE(sat))는 단지 1.85V |
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내장 다이오드: |
역방향 회복 시간(trr)은 단지 110ns로, 프리휠링 손실을 줄입니다 |
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응용 분야 |
다양한 |
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작동 온도 |
-40~+85 ℃ |
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부품 번호 |
IRG7IC28U |
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장착 방식 |
- |
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패키지/케이스 |
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SCT013 분리형 전류 변환기 클램프형 개방형 전류 변환기
제킹 MOSFET 400V N-CH HEXFET N-채널 스루홀 TO-220AB-3 트랜지스터 IRF740PBF
제킹 고품질 오리지널 통합 회로 DIP G5CE-1-24V
제킹 오리지널 마이크로컨트롤러 - MCU 마이크로컨트롤러 - MCU PIC18F4550-I-P
Jeking 고품질 16NSOP A/D 플래시 MCU 내장 EEPROM HT66F0176
제킹 XC7K70T IC XC7K70T-3FBG676E 676BBGA
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