Igbt 트랜지스터
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항목 |
Jeking 플라스틱 IGBT Mosfet IRG7IC28U 중국 제조 |
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유형 |
Jeking 1200V/35A IGBT 하프 브리지 모듈 역병렬 다이오드 내장 IRG7IC28U |
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전압/전류 정격: |
1200V 컬렉터-에미터 전압 (VCES), 35A 연속 전류 |
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전도 손실: |
포화 전압 강하 (VCE(sat))는 단지 1.85V |
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내장 다이오드: |
역방향 회복 시간(trr)은 단지 110ns로, 프리휠링 손실을 줄입니다 |
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응용 |
적용 가능 |
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작동 온도 |
-40~+85 ℃ |
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부품 번호 |
IRG7IC28U |
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장착 방식 |
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패키지/케이스 |
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제킹 MCU 32비트 2MB 플래시 144LQFP PIC32MZ2048EFH144 IC PIC32MZ2048EFH144-250I/PL
제킹 원래 메모리 ICs PDIP-28 AT27C256R AT27C256R-70PU
제킹 고품질 원래 통합 회로 TSSOP-20 CTEM1002
고품질 IC PS767D318 REG LIN 1.8V/3.3V 1A 28HTSSOP TPS767D318PWPR
제킹 TO-252-3 DPAK-3 트랜지스터 모스펫 IRLR024NTRPBF
제킹 새로운 그리고 원래의 MOSFET SOT-323-3 SI1308EDL-T1-GE3
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