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Transistor de potência fgh60n60sfdigbt - semicondutor de alta eficiência de qualidade industrial

Descrição

Fgh60n60sfd é um transistor igbt de nível automotivo produzido pela onsemi. O chip tem boa estabilidade e resistência ao impacto. Ele pode garantir continuamente a corrente máxima de saída da fonte de fgh60n60sfd de 60a e a tensão de ruptura da fonte de saída de 600v. Pode ser usado

Modelo Fgh60n60sfd
Marca Semicondutor ligado/ligado
Pacote Até 247
Corrente máxima da fonte de drenagem 60A
Tensão de ruptura da fonte de drenagem 600 V
Rds (on) max

Número de pinos

3
Características Diodo IGBT

Corrente de fuga

u
Temperatura de Trabalho -55°C~175°C


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