FGA60N65SMD é um módulo IGBT de 600 V e 60 A produzido pela ON Semiconductor. Possui uma tensão nominal de 600 V e uma corrente nominal de 60 A, tornando-o adequado para alta tensão e alta potência aplicações . Adota um projeto com baixa resistência de condução, o que reduz as perdas por condução e melhora a eficiência. Além disso, possui alta velocidade de comutação, o que reduz as perdas por comutação e melhora a eficiência. Por fim, apresenta alta tolerância à temperatura e pode operar em ambientes de alta temperatura.
Aplicações em electrónica de potência: adequadas para aplicações de alta tensão e alta potência no domínio da electrónica de potência, como conversores de frequência, motores de propulsão, etc.
Aplicações de controlo industrial: adequadas para aplicações de alta tensão e de alta potência no domínio do controlo industrial, tais como PLC, robôs industriais, etc.
Aplicações em electrónica automóvel: adequadas para aplicações de alta tensão e alta potência no domínio da electrónica automóvel, como veículos eléctricos, veículos híbridos, etc.
Outras aplicações: adequadas para outras aplicações que exijam alta tensão e alta potência, como inversores solares, turbinas eólicas, etc.
Número do produto do fabricante |
FQ60N65smd |
Fabricante |
semi |
| Tipo de igbt | Paragem de campo |
| Potência - max | 600 W |
| Condição de ensaio | 400 V, 60 A, 3 Ohm, 15 V |
| Tipo de Montagem | Através de um buraco |
Embalagem / Caixa |
Até 3p |
| Operação Temperatura | -55°c ~ 175°c (tj) |
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