Item |
Alta qualidade G40N60 MOSFET CANAL-N 600V 40A TO247AC G40N60UFD SIHG40N60UFD |
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Tipo |
SIHG40N60UFD é um transistor IGBT com altas classificações de tensão e corrente. |
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Recurso
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Tensão coletor-emissor nominal de 600V, corrente máxima no coletor de 40A, dissipação de potência até 100W |
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Diodo de recuperação rápida integrado, suporta aplicações de comutação de alta frequência |
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Tempo de ligação: 67 nanosegundos, tempo de desligamento: 190 nanosegundos, adequado para cenários de controle de potência |
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Aplicação |
Usado principalmente em inversores, soldadores, motoristas e outros equipamentos industriais, suporta comutação de alta frequência e alta potência. |
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Temperatura de Trabalho |
-50 °C a + 150 °C |
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Número da Peça |
O SIHG40N60UFD |
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Estilo de montagem |
através de um buraco |
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Embalagem/caixote |
Até 247 |
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Jeking D2PAK-3 TO-263-3 Transistor MOSFET RSJ250P10FRATL
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